第一生活网

SK hynix 以世界最高的 238 层 4D 设计将 NAND 推向极限

孔苇云
导读 就在美光宣布其 232 层 NAND 技术几天后,SK hynix宣布他们将提供世界上最高的基于 4D 分层的 238 层 NAND 闪存设计,预计将于...

就在美光宣布其 232 层 NAND 技术几天后,SK hynix宣布他们将提供世界上最高的基于 4D 分层的 238 层 NAND 闪存设计,预计将于 2023 年上半年投入生产。

SK海力士开发世界最高238层4D NAND闪存,2023年1H投产

新闻稿: SK hynix Inc.(或“公司”, www.skhynix.com)今天宣布,它已开发出业界最高的 238 层 NAND 闪存产品。

该公司最近向客户交付了 238 层 512Gb 单元 (TLC)* 4D NAND 产品的样品,计划于 2023 年上半年开始量产。“最新成果是继 176-层 NAND 产品于 2020 年 12 月推出,”该公司表示。“值得注意的是,最新的 238 层产品在该地区同时具有最高的层次和最小的层次。”

SK hynix 以全球最高的 238 层 4D 设计将 NAND 推向极限,并在 2023 年 1 小时内量产 2

* Triple Level Cell (TLC) : NAND Flash产品根据单个单元所包含的信息数量(单位:bit)分为Single Level Cell、Multi Level Cell、Triple Level Cell、Quadruple Level Cell和Penta Level Cell . 一个单元格包含更多信息意味着在该区域的相同范围内可以存储更多数据。

该公司在圣克拉拉举行的 2022 年闪存峰会* 上公布了最新产品的开发。SK hynix NAND 开发负责人 Jungdal Choi 表示:“SK hynix 通过推出基于其 4D NAND 技术的 238 层产品,在成本、性能和质量方面确保了全球顶级竞争力。”事件。“我们将继续创新,寻找技术挑战的突破口。”

* 闪存峰会 (FMS):世界上最大的 NAND 闪存行业会议每年都会在圣克拉拉举行。在活动的主题演讲中,SK hynix 与 Solidigm 共同发布了公告。

自 2018 年开发 96 层 NAND 产品以来,SK 海力士推出了一系列性能优于现有 3D 产品的 4D 产品。该公司已应用电荷陷阱闪存*和 peri under cell* 技术来制造具有 4D 结构的芯片。与3D相比,4D产品的单位单元面积更小,生产效率更高。