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新的SnapdragonWear5100泄漏指向高通可穿戴SoC的另一次迭代升级

与之前的传言和泄密相反,SnapdragonWear5100可能具有与其前辈相同的CPU内核。不过,Wear5100可能会支持LPDDR4xRAM,与最近的SnapdragonWearSoC中的LPDDR3RAM相比,这将提供一些性能改进。

SnapdragonWear5100可能无法提供过去泄漏所暗示的巨大性能改进。上个月,XDA开发人员透露,Wear5100将采用ARMCortex-A73内核,这是对Wear4100和Wear4100Plus中Cortex-A53内核的升级。该网站在Qualcomm的CodeAurora论坛中发现了此信息,该论坛似乎表明Wear5100使用与Snapdragon460和Snapdragon662相同的平台,即具有Cortex-A73内核的SoC。

然而,RolandQuandt和WinFuture不这么认为。显然,高通正在测试只有Cortex-A53内核的Wear5100样本,配置与Wear4100和Wear4100Plus相同。Wear5100也有四个CPU内核,与其前辈相匹配,但此时时钟速度仍然未知。不过,我们怀疑高通是否会大量超频这些Cortex-A53内核。该公司将Snapdragon662中的Cortex-A53内核限制在1.8GHz,比Wear4100和Wear4100Plus高100MHz。

其他领域的性能改进可能会出现,例如LPDDR4xRAM,这是一种比LPDDR3更快的选择,高通自Wear2100以来一直在其WearSoC中使用。此外,WinFuture认为Wear5100具有超低功耗协同处理器,这是SoC与Wear4100Plus共享的另一个功能。据称,Wear5100最多可以使用2GB的RAM,比GalaxyWatch4系列多512MB。

WinFuture补充说,三星正在制造Wear5100SoC,尽管没有透露该公司正在使用哪个节点。最终,Wear5100之于Wear4100Plus可能就像Wear3100之于Wear2100一样,在RAM改进的帮助下,性能略有提升。Wear5100的发布日期也尚未泄露,因此该SoC可能距离发布还有几个月的时间。

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